用于晶圓級封裝的銅

對于高度和低速電鍍,憑藉經過實際生産驗證的、成熟的金屬化工藝, 陶氏電子材料事業群的電鍍銅特別適宜用于晶圓級封裝。其高縱橫比特性和均勻、無孔隙的沉積層使其特別適宜于銅柱、 釘頭、 重新分布、 溝道、 矽穿孔 (TSV) 和其他高級封裝工藝。

陶氏電子材料事業群在開發TSV鍍銅解决方案方面處于處于最前沿的位置,采用TSV鍍銅工藝的這種封裝技術是一種新的應用領域。我們的三組分産品能够在高難度縱橫比的TSV的自下向上填充過程中實現優异的填充性能表現。我們正在充分利用陶氏在大馬士革銅電鍍方面的多年經驗和成功經歷爲高級封裝市場帶來高性能的TSV鍍銅解决方案。

INTERVIA™ 鍍銅化學原理

30 μm 微型圓柱

采用INTERVIA™ 銅電鍍的銅柱

INTERLINK™ 銅

5 x 50 μm 的TSV

6 x 100 μm 的TSV